Samsung Mengenalkan Penyimpanan Internal 1 TB eUFS 2.1, untuk Galaxy S10?

Hitekno.com - Meski Toshiba sudah mulai menguji chip UFS 3.0, sepertinya Samsung masih setia dengan UFS 2.1. Kini perusahaan tersebut meluncurkan kartu penyimpanan internal 1 TB eUFS 2.1.

Itu berarti kartu penyimpanan internal tersebut mempunyai kapasitas terbesar di antara kartu penyimpanan terbesar Samsung.

Perusahaan tersebut sebenarnya sudah mengenalkan eUFS 3.0 yang tertanam di dalam perangkat pada MWC 2018.

Namun sepertinya Samsung lebih memilih mengembangkan eUFS 2.1 untuk sisi komersial sebelum beralih sepenuhnya ke versi yang lebih tinggi.

Pengumuman ini datang beberapa minggu sebelum peluncuran seri Galaxy S10 Plus.

Dalam bocoran sebelumnya di OnLeaks, Samsung Galaxy S10 Plus akan memiliki varian dengan RAM 12 GB dan penyimpanan internal 1 TB.

Kemungkinan besar memori ini juga digunakan Samsung dalam perangkat flagship mereka selanjutnya.

Chip 1 TB eUFS 2.1 merupakan desain single-chip yang menawarkan peningkatan kecepatan baca dan tulis dibandingkan dengan 512 GB eUFS 2.1.

Ukuran chipnya sama yaitu berukuran 11,5 x 13 mm dan memiliki 16 layer dari memori flash generasi kelima 512Gb V-NAND.

Penyimpanan 1 TB Samsung terbaru memiliki kecepatan baca 1.000 MB/s, dan kecepatan menulis 260 MB/s.

Kartu memori ini juga memiliki kecepatan baca acak 58.000 IOPS dan kecepatan tulis acak 50.000 IOPS.

Spesifikasi tersebut sangat meningkat signifikan jika dibandingkan kartu memori Samsung versi lain.

Dikutip dari Gizmochina, Samsung mengatakan bahwa produksi massal kartu memori terbarunya sudah dimulai dari sekarang.

Mereka berencana untuk memperluas produksi V-NAND 512Gb generasi kelima di pabrik Pyeongtaek sepanjang semester pertama 2019.

Hal itu dilakukan Samsung untuk mengantisipasi permintaan kuat dari penyimpanan eUFS 1TB oleh produsen smartphone tahun ini.

Info tersebut menyiratkan bahwa akan banyak smartphone dengan penyimpanan internal 1 TB yang diluncurkan di tahun 2019.